Ինդիումի օքսիդ

Նկարագրություն

Ինդիումի օքսիդ In₂O₃կամ ինդիումի տրիօքսիդ 99,99%, 99,995%, 99,999% և 99,9999%, միկրոփոշի կամ նանոմասնիկ բաց դեղին պինդ փոշի, CAS 1312-43-3, խտությունը 7,18 գ/սմ³և հալվում է մոտ 2000°C, կայուն կերամիկական նյութ է, որը չի լուծվում ջրում, բայց լուծելի է տաք անօրգանական թթուում։Indium Oxide In₂O₃n-տիպի կիսահաղորդչային ֆունկցիայի նյութ է, որն ունի ավելի փոքր դիմադրողականություն, ավելի բարձր կատալիտիկ ակտիվություն և օպտոէլեկտրոնային կիրառությունների լայն շերտի բացվածք: Indium Oxide In₂O₃Western Minmetals (SC) Corporation-ում կարող է առաքվել 99.99%, 99.995%, 99.999% և 99.9999% 2-10 միկրոն կամ -100 ցանց փոշի և նանո դասի մաքրությամբ, 1 կգ փաթեթավորված պոլիէթիլենային շշի մեջ փակ պլաստիկ տոպրակով: կամ 1կգ, 2կգ 5կգ կոմպոզիտային ալյումինե տոպրակի մեջ՝ դրսում ստվարաթղթե տուփով, կամ ըստ կատարյալ լուծումների հարմարեցված բնութագրերի:

Դիմումներ

Indium Oxide In₂O₃լայն կիրառություն ունի ֆոտոէլեկտրական, գազի սենսորների, բարակ թաղանթով ինֆրակարմիր ռեֆլեկտորների, կատալիզատորի կիրառման, հատուկ ապակու գունավոր հավելումների, ալկալային մարտկոցների և բարձր հոսանքի էլեկտրական անջատիչների և կոնտակտների, մետաղական հայելիների պաշտպանիչ ծածկույթի և էլեկտրաօպտիկական կիսահաղորդչային թաղանթի համար։ ցուցադրել և այլն₂O₃հանդիսանում է էկրանների, էներգաարդյունավետ պատուհանների և ֆոտոգալվանների ITO թիրախի հիմնական բաղադրիչը:Բացի այդ, Ին₂O₃որպես դիմադրողական տարր IC-ներում՝ p-InP, n-GaAs, n-Si և այլ կիսահաղորդիչների նման նյութերի հետ հետերայանցումներ ձևավորելու համար:Միևնույն ժամանակ, ունենալով մակերեսային էֆեկտ, փոքր չափսեր և մակրոսկոպիկ քվանտային թունելային էֆեկտ,Նանո Ին₂O₃նախատեսված է հիմնականում օպտիկական և հակաստատիկ ծածկույթների, թափանցիկ հաղորդիչ ծածկույթների կիրառման համար:

Հարցում հիմա

Մանրամասներ

Պիտակներ

Տեխնիկական ճշգրտում

In₂O₃

Արտաքին տեսք	Դեղնավուն փոշի
Մոլեկուլային քաշը	277,63
Խտություն	7.18 գ/սմ³
Հալման ջերմաստիճանը	2000°C
CAS No.	1312-43-2 թթ

Ոչ	Նյութ		Ստանդարտ ճշգրտում
1	Մաքրություն Մեջ₂O₃≥		Անմաքրություն (ICP-MS փորձարկման հաշվետվություն PPM առավելագույնը յուրաքանչյուրը)
2	4N	99,99%	Cu/Al 20, Ti 3.0, Pb 4.0, Sn 7.0, Cd 8.0, Fe 15	Ընդհանուր ≤100
	4N5	99,995%	Cu/Al/Cd/Sn/Ti/Ni/As/Zn 1.0, Si 2.0, Fe/Ca 5.0	Ընդհանուր ≤50
	5Ն	99,999%	Cu/Pb/Cd/Fe/Ni 0,5, Ca/Sn/Ti 1,0	Ընդհանուր ≤10
	6Ն	99,9999%	առկա է պահանջի դեպքում	Ընդհանուր ≤1.0
3	Չափը		2-10μm փոշի 4N 5N5 5N մաքրության համար, -100mesh փոշի 6N մաքրության համար
4	Փաթեթավորում		1 կգ պոլիէթիլենային շշի մեջ դրսում փակ պլաստիկ տոպրակով

Indium Oxide In₂O₃ կամ Indium Trioxide In₂O₃Western Minmetals (SC) Corporation-ում կարող է առաքվել 99,99%, 99,995%, 99,999% և 99,9999% 4N 4N5 5N 6N մաքրությամբ 2-10 միկրոն կամ -100 ցանց փոշի և նանո պոլիէթիլենի շշով փաթեթավորված: կնքված պլաստիկ տոպրակ, ապա դրսում ստվարաթղթե տուփ կամ կատարյալ լուծումների համար հարմարեցված բնութագրերով:

Indium Oxide In₂O₃լայն կիրառություն ունի ֆոտոէլեկտրական, գազի սենսորների, բարակ թաղանթով ինֆրակարմիր ռեֆլեկտորների, կատալիզատորի կիրառման, հատուկ ապակու գունավոր հավելումների, ալկալային մարտկոցների և բարձր հոսանքի էլեկտրական անջատիչների և կոնտակտների, մետաղական հայելիների պաշտպանիչ ծածկույթի և էլեկտրաօպտիկական կիսահաղորդչային թաղանթի համար։ ցուցադրել և այլն₂O₃հանդիսանում է էկրանների, էներգաարդյունավետ պատուհանների և ֆոտոգալվանների ITO թիրախի հիմնական բաղադրիչը:Բացի այդ, Ին₂O₃որպես դիմադրողական տարր IC-ներում՝ p-InP, n-GaAs, n-Si և այլ կիսահաղորդիչների նման նյութերի հետ հետերայանցումներ ձևավորելու համար:Միևնույն ժամանակ, ունենալով մակերևութային էֆեկտ, փոքր չափսեր և մակրոսկոպիկ քվանտային թունելային էֆեկտ՝ Nano In₂O₃նախատեսված է հիմնականում օպտիկական և հակաստատիկ ծածկույթների, թափանցիկ հաղորդիչ ծածկույթների կիրառման համար: