Գալիումի նիտրիդ GaN

Նկարագրություն

Գալիումի նիտրիդ GaN, CAS 25617-97-4, մոլեկուլային զանգված 83.73, վուրցիտի բյուրեղային կառուցվածք, III-V խմբի երկուական բաղադրությամբ ուղիղ ժապավենային կիսահաղորդիչ է, որն աճեցվում է բարձր զարգացած ամմոնաջերմային գործընթացի մեթոդով:Բնութագրված կատարյալ բյուրեղային որակով, բարձր ջերմային հաղորդունակությամբ, էլեկտրոնների բարձր շարժունակությամբ, բարձր կրիտիկական էլեկտրական դաշտով և լայն բացվածքով, Gallium Nitride GaN-ն ունի ցանկալի բնութագրեր օպտոէլեկտրոնիկայի և զգայական ծրագրերում:

Դիմումներ

Gallium Nitride GaN-ը հարմար է առաջադեմ բարձր արագությամբ և բարձր հզորությամբ վառ լույս արձակող դիոդների LED բաղադրիչների, լազերային և օպտոէլեկտրոնային սարքերի արտադրության համար, ինչպիսիք են կանաչ և կապույտ լազերները, բարձր էլեկտրոնների շարժունակության տրանզիստորները (HEMTs) և բարձր հզորության արտադրանքները: և բարձր ջերմաստիճան սարքերի արտադրություն:

Առաքում

Գալիումի նիտրիդ GaN-ը Western Minmetals (SC) Corporation-ում կարող է տրամադրվել շրջանաձև վաֆլի 2 դյույմ ”կամ 4” (50 մմ, 100 մմ) և քառակուսի վաֆլի 10×10 կամ 10×5 մմ չափերով:Ցանկացած հարմարեցված չափս և ճշգրտում նախատեսված են մեր հաճախորդների համար ամբողջ աշխարհում կատարյալ լուծման համար:

Հարցում հիմա

Մանրամասներ

Պիտակներ

Տեխնիկական ճշգրտում

Գալիումի նիտրիդ GaN

Գալիումի նիտրիդ GaNWestern Minmetals (SC) Corporation-ում կարելի է տրամադրել շրջանաձև վաֆլի 2 դյույմ” կամ 4” (50 մմ, 100 մմ) և քառակուսի վաֆլի 10×10 կամ 10×5 մմ չափերով:Ցանկացած հարմարեցված չափս և ճշգրտում նախատեսված են մեր հաճախորդների համար ամբողջ աշխարհում կատարյալ լուծման համար:

Ոչ	Նյութեր	Ստանդարտ ճշգրտում
1	Ձևավորում	Շրջանաձև	Շրջանաձև	Քառակուսի
2	Չափը	2"	4"	--
3	Տրամագիծը մմ	50,8±0,5	100±0,5	--
4	Կողքի երկարությունը մմ	--	--	10x10 կամ 10x5
5	Աճի մեթոդ	HVPE	HVPE	HVPE
6	Կողմնորոշում	C-ինքնաթիռ (0001)	C-ինքնաթիռ (0001)	C-ինքնաթիռ (0001)
7	Հաղորդունակության տեսակը	N-տիպ/Si-doped, Un-doped, կիսամեկուսացնող
8	Դիմադրողականություն Ω-սմ	<0.1, <0.05, >1E6
9	Հաստությունը մկմ	350±25	350±25	350±25
10	TTV մկմ առավելագույնը	15	15	15
11	Աղեղ մկմ առավելագույնը	20	20	20
12	EPD սմ-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Մակերեւույթի ավարտ	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	Մակերեւույթի կոպտություն	Առջև՝ ≤0,2 նմ, հետև՝ 0,5-1,5 մկմ կամ ≤0,2 նմ
15	Փաթեթավորում	Վաֆլի մեկ տարա՝ փակված ալյումինե տոպրակի մեջ:

Գծային բանաձև	GaN
Մոլեկուլային քաշը	83,73
Բյուրեղյա կառուցվածք	Ցինկի խառնուրդ/Վուրցիտ
Արտաքին տեսք	Թափանցիկ պինդ
Հալման ջերմաստիճանը	2500 °C
Եռման կետ	N/A
Խտությունը 300K	6,15 գ/սմ³
Էներգիայի բացը	(3.2-3.29) eV 300K-ում
Ներքին դիմադրողականություն	>1E8 Ω-սմ
CAS համարը	25617-97-4
EC համարը	247-129-0

Գալիումի նիտրիդ GaNհարմար է գերժամանակակից բարձր արագությամբ և բարձր հզորությամբ վառ լույս արձակող դիոդների LED բաղադրիչների, լազերային և օպտոէլեկտրոնիկայի սարքերի արտադրության համար, ինչպիսիք են կանաչ և կապույտ լազերները, բարձր էլեկտրոնների շարժունակության տրանզիստորները (HEMTs) և բարձր հզորությամբ և բարձր հզորությամբ: ջերմաստիճանի սարքերի արտադրություն.