Gallium Phosphide GaP

Նկարագրություն

Gallium Phosphide GaP-ը, եզակի էլեկտրական հատկություններով կարևոր կիսահաղորդիչ, ինչպես մյուս III-V միացությունների նյութերը, բյուրեղանում է թերմոդինամիկապես կայուն խորանարդ ZB կառուցվածքում, նարնջագույն-դեղին կիսաթափանցիկ բյուրեղային նյութ է՝ 2,26 էՎ (300K) անուղղակի գոտիով: սինթեզվել է 6N 7N բարձր մաքրության գալիումից և ֆոսֆորից և վերածվել մեկ բյուրեղի հեղուկ պարուրված Չոխրալսկու (LEC) տեխնիկայի միջոցով:Գալիումի ֆոսֆիդի բյուրեղը ներծծվում է ծծմբի կամ տելուրիումի n-տիպի կիսահաղորդիչ ստանալու համար, իսկ ցինկը՝ որպես p-տիպի հաղորդունակություն՝ ցանկալի վաֆլի մեջ հետագա պատրաստման համար, որն ունի կիրառություն օպտիկական համակարգերում, էլեկտրոնային և այլ օպտոէլեկտրոնային սարքերում:Single Crystal GaP վաֆլի կարելի է պատրաստել Epi-Ready ձեր LPE, MOCVD և MBE էպիտաքսիալ կիրառման համար:Բարձրորակ միաբյուրեղյա Gallium phosphide GaP վաֆլի p-տիպ, n-տիպ կամ չմշակված հաղորդունակություն Western Minmetals (SC) Corporation-ում կարող է առաջարկվել 2" և 3" չափերով (50 մմ, 75 մմ տրամագծով), կողմնորոշմամբ <100>, <111: > ինչպես կտրված, փայլեցված կամ epi-ready գործընթացի մակերեսային հարդարումով:

Դիմումներ

Ցածր հոսանքով և լույսի արտանետման բարձր արդյունավետությամբ, Gallium phosphide GaP վաֆլը հարմար է օպտիկական ցուցադրման համակարգերի համար, ինչպիսիք են էժան կարմիր, նարնջագույն և կանաչ լուսարձակող դիոդները (LED) և դեղին և կանաչ LCD-ից և այլն և LED չիպերը, որոնք արտադրում են: ցածր և միջին պայծառություն, GaP-ը նաև լայնորեն ընդունված է որպես ինֆրակարմիր սենսորների և մոնիտորինգի տեսախցիկների արտադրության հիմնական հիմք:

Հարցում հիմա

Մանրամասներ

Պիտակներ

Տեխնիկական ճշգրտում

Gallium Phosphide GaP

Բարձրորակ մեկ բյուրեղյա Gallium Phosphide GaP վաֆլի կամ ենթաշերտի p-տիպ, n-տիպ կամ չմշակված հաղորդունակություն Western Minmetals (SC) Corporation-ում կարող են առաջարկվել 2" և 3" (50 մմ, 75 մմ) տրամագծով, կողմնորոշմամբ <100>: , <111> մակերևույթի ծածկույթով, ինչպես կտրված, փաթաթված, փորագրված, փայլեցված, epi-ready մշակված մեկ վաֆլի կոնտեյներով, որը կնքված է ալյումինե կոմպոզիտային տոպրակի մեջ կամ որպես հարմարեցված ճշգրտում կատարյալ լուծման համար:

Ոչ	Նյութեր	Ստանդարտ ճշգրտում
1	GaP չափը	2"
2	Տրամագիծը մմ	50,8 ± 0,5
3	Աճի մեթոդ	LEC
4	Հաղորդունակության տեսակը	P-type/Zn-doped, N-type/(S, Si,Te)-doped, Un-doped
5	Կողմնորոշում	<1 1 1> ± 0,5°
6	Հաստությունը մկմ	(300-400) ± 20
7	Դիմադրողականություն Ω-սմ	0,003-0,3
8	Կողմնորոշում հարթ (OF) մմ	16±1
9	Նույնականացում Flat (IF) մմ	8±1
10	Դահլիճի շարժունակություն cm2/Vs min	100
11	Կրիչի համակենտրոնացում սմ^-3	(2-20) E17
12	Դիսլոկացիա Խտություն սմ^-2առավելագույնը	2.00E+05
13	Մակերեւույթի ավարտ	P/E, P/P
14	Փաթեթավորում	Վաֆլի մեկ տարա փակված ալյումինե կոմպոզիտային տոպրակի մեջ, դրսում ստվարաթղթե տուփով

Գծային բանաձև	GaP
Մոլեկուլային քաշը	100.7
Բյուրեղյա կառուցվածք	Ցինկի խառնուրդ
Արտաքին տեսք	Նարնջագույն պինդ
Հալման ջերմաստիճանը	N/A
Եռման կետ	N/A
Խտությունը 300K	4.14 գ/սմ³
Էներգիայի բացը	2,26 էՎ
Ներքին դիմադրողականություն	N/A
CAS համարը	12063-98-8
EC համարը	235-057-2

Gallium Phosphide GaP վաֆլիՑածր հոսանքով և լույսի արտանետման բարձր արդյունավետությամբ, հարմար է օպտիկական ցուցադրման համակարգերի համար, ինչպիսիք են էժան կարմիր, նարնջագույն և կանաչ լուսարձակող դիոդները (LED) և դեղին և կանաչ LCD-ի հետևի լույսը և այլն և LED չիպերը, որոնք արտադրվում են ցածր և միջին չափերով: պայծառությունը, GaP-ը նաև լայնորեն ընդունված է որպես ինֆրակարմիր սենսորների և մոնիտորինգի տեսախցիկների արտադրության հիմնական հիմք: