Indium Antimonide InSb

Նկարագրություն

Indium Antimonide InSb, III–V խմբի բյուրեղային միացությունների կիսահաղորդիչ՝ ցինկ-խառնուրդի ցանցային կառուցվածքով, սինթեզվում է 6N 7N բարձր մաքրության ինդիումի և անտիմոնի տարրերով և աճեցվում է մեկ բյուրեղով VGF մեթոդով կամ Liquid Encapsulated Czochralski LEC մեթոդով բազմակի զտված պոլիբյուրեղային գոտկատեղից։ որը կարելի է կտրատել և պատրաստել վաֆլի և դրանից հետո արգելափակել:InSb-ն ուղիղ անցումային կիսահաղորդիչ է՝ 0,17eV նեղ գոտիով սենյակային ջերմաստիճանում, 1–5 մկմ ալիքի երկարության նկատմամբ բարձր զգայունությամբ և սրահի չափազանց բարձր շարժունակությամբ:Indium Antimonide InSb n-տիպի, p-տիպի և կիսամեկուսացնող հաղորդունակությունը Western Minmetals (SC) կորպորացիայում կարող է առաջարկվել 1″ 2″ 3″ և 4” (30 մմ, 50 մմ, 75 մմ, 100 մմ) տրամագծով, կողմնորոշմամբ < 111> կամ <100> և վաֆլի մակերևույթի ծածկույթով, ինչպես կտրված, փաթաթված, փորագրված և փայլեցված:Հասանելի է նաև Indium Antimonide InSb թիրախը Dia.50-80mm, un-doped n-type.Միևնույն ժամանակ, պոլիբյուրեղային ինդիումի հակամոնիդ InSb (բազմաբյուրեղային InSb) անկանոն գնդիկի չափերով կամ դատարկ (15-40) x (40-80) մմ և D30-80 մմ կլոր ձողով նույնպես հարմարեցված են ըստ պահանջի կատարյալ լուծմանը:

Դիմում

Indium Antimonide InSb-ը իդեալական ենթաշերտ է բազմաթիվ ժամանակակից բաղադրիչների և սարքերի արտադրության համար, ինչպիսիք են առաջադեմ ջերմային պատկերման լուծումը, FLIR համակարգը, սրահի տարրը և մագնիսակայունության էֆեկտի տարրը, ինֆրակարմիր հրթիռների ուղղորդման համակարգ, բարձր արձագանքող ինֆրակարմիր ֆոտոդետեկտորի սենսոր: , բարձր ճշգրտության մագնիսական և պտտվող դիմադրության ցուցիչ, կիզակետային հարթ զանգվածներ, ինչպես նաև հարմարեցված որպես տերահերց ճառագայթման աղբյուր և ինֆրակարմիր աստղագիտական տիեզերական աստղադիտակում և այլն։

Հարցում հիմա

Մանրամասներ

Պիտակներ

Տեխնիկական ճշգրտում

Ինդիումի հակամոնիդ

InSb

Ինդիումի հակամոնիդային սուբստրատ(InSb սուբստրատ, InSb վաֆլի) n-type կամ p-type Western Minmetals (SC) Corporation-ում կարող են առաջարկվել 1" 2" 3" և 4" (30, 50, 75 և 100 մմ) տրամագծով, կողմնորոշմամբ <111> կամ <100>, և պատված, փորագրված, փայլեցված ծածկույթով վաֆլի մակերեսով Ինդիումի հակամոնիդային մեկ բյուրեղյա ձողիկ (InSb Monocrystal բար) նույնպես կարող է մատակարարվել ըստ ցանկության:

Ինդիումի հակամոնիդPօլիբյուրեղային (InSb Polycrystalline, կամ Multicrystal InSb) անկանոն գունդի չափսով կամ դատարկ (15-40)x(40-80) մմ նույնպես հարմարեցված են ըստ պահանջի կատարյալ լուծմանը:

Միևնույն ժամանակ, հասանելի է նաև Indium Antimonide Target (InSb Target) Dia.50-80 մմ չդոպավորված n-տիպով:

Ոչ	Նյութեր	Ստանդարտ ճշգրտում
1	Ինդիումի հակամոնիդային սուբստրատ	2"	3"	4"
2	Տրամագիծը մմ	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Աճի մեթոդ	LEC	LEC	LEC
4	Հաղորդունակություն	P-տիպ/Zn,Ge դոպինգ, N-տիպ/Te-doped, Un-doped
5	Կողմնորոշում	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Հաստությունը մկմ	500±25	600±25	800±25
7	Կողմնորոշում Հարթ մմ	16±2	22±1	32,5±1
8	Նույնականացում Հարթ մմ	8±1	11±1	18±1
9	Շարժունակություն cm2/Vs	1-7E5 N/un-doped, 3E5-2E4 N/Te-doped, 8-0.6E3 կամ ≤8E13 P/Ge-doped
10	Կրիչի կոնցենտրացիան սմ-3	6E13-3E14 N/un-doped, 3E14-2E18 N/Te-doped, 1E14-9E17 կամ <1E14 P/Ge-doped
11	TTV մկմ առավելագույնը	15	15	15
12	Աղեղ մկմ առավելագույնը	15	15	15
13	Շեղել մկմ առավելագույնը	20	20	20
14	Դիսլոկացիայի խտություն սմ-2 max	50	50	50
15	Մակերեւույթի ավարտ	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Փաթեթավորում	Վաֆլի մեկ տարա՝ փակված ալյումինե տոպրակի մեջ:

Ոչ	Նյութեր	Ստանդարտ ճշգրտում
Ոչ	Նյութեր	Indium Antimonide Polycrystalline	Ինդիումի հակամոնիդային թիրախ
1	Հաղորդունակություն	Չպատվիրված	Չպատվիրված
2	Կրիչի համակենտրոնացում սմ^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Շարժունակություն սմ²/Ընդդեմ	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Չափը	15-40x40-80 մմ	D(50-80) մմ
5	Փաթեթավորում	Կոմպոզիտային ալյումինե տոպրակի մեջ, դրսում ստվարաթղթե տուփում

Գծային բանաձև	InSb
Մոլեկուլային քաշը	236,58
Բյուրեղյա կառուցվածք	Ցինկի խառնուրդ
Արտաքին տեսք	Մուգ մոխրագույն մետաղական բյուրեղներ
Հալման ջերմաստիճանը	527 °C
Եռման կետ	N/A
Խտությունը 300K	5.78 գ/սմ³
Էներգիայի բացը	0,17 էՎ
Ներքին դիմադրողականություն	4E(-3) Ω-սմ
CAS համարը	1312-41-0
EC համարը	215-192-3

Indium Antimonide InSbվաֆերը իդեալական ենթաշերտ է բազմաթիվ ժամանակակից բաղադրիչների և սարքերի արտադրության համար, ինչպիսիք են առաջադեմ ջերմային պատկերման լուծումը, FLIR համակարգը, սրահի տարրը և մագնիսակայունության էֆեկտի տարրը, ինֆրակարմիր հրթիռների ուղղորդման համակարգ, բարձր արձագանքող Ինֆրակարմիր ֆոտոդետեկտորի ցուցիչ, բարձր - ճշգրիտ մագնիսական և պտտվող դիմադրության ցուցիչ, կիզակետային հարթ զանգվածներ, ինչպես նաև հարմարեցված որպես տերահերց ճառագայթման աղբյուր և ինֆրակարմիր աստղագիտական տիեզերական աստղադիտակում և այլն: