Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image

Կադմիումի արսենիդ Cd₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

Նկարագրություն

Կադմիումի արսենիդ Cd₃As₂5N 99,999%,մուգ մոխրագույն՝ 6,211գ/սմ խտությամբ³, հալման կետ 721°C, մոլեկուլ 487.04, CAS12006-15-4, լուծվող ազոտական թթուում HNO₃ և օդի կայունությունը, բարձր մաքրության կադմիումի և մկնդեղի սինթեզված բաղադրյալ նյութ է:Կադմիումի արսենիդը II-V ընտանիքի անօրգանական կիսամետաղ է և դրսևորում է Ներնստի էֆեկտը:Բրիջմանի աճի մեթոդով աճեցված կադմիումի արսենիդի բյուրեղը, դիրակի կիսամետաղային ոչ շերտավոր կառուցվածքը, դեգեներատիվ N-տիպի II-V կիսահաղորդիչ է կամ նեղ բացվածքով կիսահաղորդիչ՝ բարձր կրիչի շարժունակությամբ, ցածր արդյունավետ զանգվածով և խիստ ոչ պարաբոլիկ հաղորդմամբ: նվագախումբ.Կադմիումի արսենիդ Cd₃As₂կամ CdAs-ը բյուրեղային պինդ նյութ է և ավելի ու ավելի շատ կիրառություն է գտնում կիսահաղորդչային և ֆոտոօպտիկական դաշտերում, ինչպիսիք են ինֆրակարմիր դետեկտորները՝ օգտագործելով Nernst էֆեկտը, բարակ թաղանթով դինամիկ ճնշման սենսորներում, լազերային, լուսադիոդային դիոդներում, քվանտային կետերում. պատրաստել մագնիսական ռեզիստորներ և ֆոտոդետեկտորներում:Արսենիդ GaAs-ի, Indium Arsenide InAs-ի և Niobium Arsenide NbAs-ի կամ Nb-ի արսենիդային միացություններ₅As₃գտնել ավելի շատ կիրառություն որպես էլեկտրոլիտային նյութ, կիսահաղորդչային նյութ, QLED էկրան, IC դաշտ և այլ նյութական դաշտեր:

Առաքում

Կադմիումի արսենիդ Cd₃As₂և Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs և Niobium Arsenide NbAs կամ Nb₅As₃Western Minmetals (SC) Corporation-ում 99,99% 4N և 99,999% 5N մաքրությամբ բազմաբյուրեղ միկրոփոշի -60 mesh, -80mesh, նանոմասնիկ, միանվագ 1-20 մմ, հատիկ 1-6 մմ, կտոր, դատարկ և մեկ զանգված և այլն: ., կամ որպես հարմարեցված ճշգրտում կատարյալ լուծման հասնելու համար:

Հարցում հիմա

Մանրամասներ

Պիտակներ

Տեխնիկական ճշգրտում

Արսենիդային միացություններ

Արսենիդային միացություններ հիմնականում վերաբերում են մետաղական տարրերին և մետալոիդ միացություններին, որոնց ստոյխիոմետրիկ բաղադրությունը փոխվում է որոշակի տիրույթում՝ միացությունների վրա հիմնված պինդ լուծույթ ստեղծելու համար։Միջմետաղային միացությունը մետաղի և կերամիկայի միջև ունի իր հիանալի հատկություններ և դառնում է նոր կառուցվածքային նյութերի կարևոր ճյուղ:Բացի Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs և Niobium Arsenide NbAs կամ Nb₅As₃կարող է սինթեզվել նաև փոշու, հատիկի, միանվագ, բար, բյուրեղի և սուբստրատի տեսքով:

Ոչ	Նյութ	Ստանդարտ ճշգրտում
Ոչ	Նյութ	Մաքրություն	Անմաքրություն PPM Max յուրաքանչյուրը	Չափը
1	Կադմիումի արսենիդCd₃As₂	5N	Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0,5, Ni/S 0,2, Zn/Pb 1,0	-60mesh -80mesh փոշի, 1-20mm կտոր, 1-6mm հատիկ
2	Գալիումի արսենիդ GaAs	5N 6N 7N	GaAs կոմպոզիցիան հասանելի է ըստ պահանջի
3	Նիոբիումի արսենիդ NbAs	3N5	NbAs կազմը հասանելի է ըստ պահանջի
4	Indium Arsenide InAs	5N 6N	InAs Composition-ը հասանելի է ըստ պահանջի
5	Փաթեթավորում	500 գ կամ 1000 գ պոլիէթիլենային շշի կամ կոմպոզիտային տոպրակի մեջ, ստվարաթղթե տուփից դրսում

Գալիումի արսենիդ

Գալիումի արսենիդ GaAs, III–V միացությունների ուղիղ բացվածքով կիսահաղորդչային նյութ՝ ցինկի խառնուրդի բյուրեղային կառուցվածքով, սինթեզվում է բարձր մաքրության գալիումի և մկնդեղի տարրերով և կարող է կտրատվել և վերածվել վաֆլի և դատարկի մեկ բյուրեղային ձուլակտորից, որն աճեցվում է ուղղահայաց գրադիենտ սառեցման մեթոդով։ .Շնորհիվ իր հագեցած սրահի շարժունակության և հզորության և ջերմաստիճանի բարձր կայունության՝ այդ RF բաղադրիչները, միկրոալիքային IC-ները և LED սարքերը, որոնք պատրաստված են դրա բոլոր կողմից, գերազանց կատարում են բարձր հաճախականությամբ հաղորդակցման տեսարաններում:Միևնույն ժամանակ, նրա ուլտրամանուշակագույն լույսի փոխանցման արդյունավետությունը նաև թույլ է տալիս այն լինել ապացուցված հիմնական նյութ Ֆոտովոլտային արդյունաբերության մեջ:Gallium Arsenide GaAs վաֆլան Western Minmetals (SC) Corporation-ում կարող է առաքվել մինչև 6" կամ 150 մմ տրամագծով 6N 7N մաքրությամբ, ինչպես նաև Gallium Arsenide-ի մեխանիկական աստիճանի ենթաշերտը: Մինչդեռ Gallium Arsenide պոլիբյուրեղային ձուլակտորը, կտորը և հատիկավորը և այլն: 99,999% 5N, 99,9999% 6N, 99,99999% 7N, որոնք տրամադրվել են Western Minmetals (SC) կորպորացիայից, նույնպես հասանելի են կամ ըստ պահանջի, ինչպես հարմարեցված ճշգրտում:

Ինդիումի արսենիդ

Ինդիումի արսենիդ InAs, ուղիղ շերտով կիսահաղորդիչ, որը բյուրեղանում է ցինկ-խառնուրդի կառուցվածքում, որը բաղադրյալ է բարձր մաքրության ինդիումի և մկնդեղի տարրերով, աճեցված Հեղուկ պարուրված Չոխրալսկի (LEC) մեթոդով, կարող է կտրատվել և վերածվել վաֆլի՝ մեկ բյուրեղային ձուլակտորից:Ցածր տեղաշարժի խտության, բայց հաստատուն վանդակի պատճառով InAs-ը իդեալական ենթաշերտ է տարասեռ InAsSb, InAsPSb և InNAsSb կառուցվածքները կամ AlGaSb գերվանդակավոր կառուցվածքը հետագայում աջակցելու համար:Հետևաբար, այն կարևոր դեր է խաղում 2-14 մկմ ալիքի տիրույթի ինֆրակարմիր արձակող սարքերի արտադրության մեջ:Բացի այդ, InAs-ի բարձրագույն շարժունակությունը, բայց էներգիայի նեղ տիրույթը նաև թույլ է տալիս այն դառնալ սրահի բաղադրիչների կամ այլ լազերային և ճառագայթային սարքերի արտադրության հիանալի հիմք:Indium Arsenide InAs at Western Minmetals (SC) Corporation-ում 99.99% 4N, 99.999% 5N, 99.9999% 6N մաքրությամբ կարող են մատակարարվել 2"3"4" տրամագծով ենթաշերտում: Մինչդեռ ինդիումի արսենիդի պոլիբյուրեղային լյումպը (Western Arsenide պոլիբյուրեղային SC): ) Կորպորացիան նույնպես հասանելի է կամ ըստ պահանջի, ինչպես հարմարեցված ճշգրտում:

Նիոբիումի արսենիդ

Niobium Arsenide Nb₅As₃ or NbAs,բաց սպիտակ կամ մոխրագույն բյուրեղային պինդ, CAS No.12255-08-2, բանաձևի քաշը 653,327 Nb₅As₃և 167.828 NbAs, նիոբիումի և մկնդեղի երկուական միացություն է՝ NbAs, Nb5As3, NbAs4…և այլն բաղադրությամբ, որոնք սինթեզված են CVD մեթոդով, այս պինդ աղերն ունեն շատ բարձր ցանցային էներգիա և թունավոր են մկնդեղի բնորոշ թունավորության պատճառով:Բարձր ջերմաստիճանի ջերմային անալիզը ցույց է տալիս, որ NdA-ները տաքացման ժամանակ ցույց են տվել մկնդեղի ցնդողություն: Նիոբիումի արսենիդը՝ վեյլ կիսամետաղ, կիսահաղորդչային և ֆոտոէլեկտրական նյութի տեսակ է կիսահաղորդիչների, ֆոտոօպտիկայի, լազերային լուսարձակող դիոդների, քվանտային կետերի, օպտիկական և ճնշման սենսորների, որպես միջանկյալ նյութերի, ինչպես նաև գերհաղորդիչներ ստեղծելու և այլնի համար: Նիոբիում Արսենիդ Nb₅As₃կամ NbA-ները Western Minmetals (SC) Corporation-ում 99,99% 4N մաքրությամբ կարող են մատակարարվել փոշու, հատիկի, զանգվածի, թիրախի և զանգվածային բյուրեղի և այլնի տեսքով կամ որպես հարմարեցված սպեցիֆիկացիա, որը պետք է պահվի լավ փակ, լույսի դիմացկուն վիճակում: , չոր և զով տեղ։