Antimony Telluride Sb2Te3 | Al2Te3 As2Te3 Bi2Te3 Ga2Te3 3N 4N 5N Featured Image

Antimony Telluride Sb₂Te₃|Ալ₂Te₃ As₂Te₃ Bi₂Te₃ Ga₂Te₃3N 4N 5N

Նկարագրություն

Անտիմոնի տելուրիդSb₂Te₃, VA խմբի բաղադրյալ կիսահաղորդիչ, VIA տարրեր պարբերական համակարգում։Վեցանկյուն-ռոմբոեդրային կառուցվածքով, խտությունը 6,5գ/սմ³, հալման կետ 620^oC, տիրույթի բացը 0.23eV, CAS 1327-50-0, MW 626.32, այն լուծելի է ազոտական թթուում և անհամատեղելի է թթուների հետ, ջրում անլուծելի է և կայուն է ոչ դյուրավառ:Անտիմոնի տելուրիդը պատկանում է 15 մետալոիդ տրիխալկոգենիդների խմբին, Sb₂Te₃բյուրեղներն ունեն տիպիկ կողային չափսեր, ուղղանկյուն ձև և մետաղական տեսք, շերտերը շարված են վան դեր Վալսյան փոխազդեցությունների միջոցով և կարող են շերտավորվել բարակ 2D շերտերի:Բրիջմանի մեթոդով պատրաստված Antimony Telluride-ը կիսահաղորդիչ է, տոպոլոգիական մեկուսիչ և ջերմաէլեկտրական նյութ, արևային բջիջների նյութեր, վակուումային գոլորշիացում:Մինչդեռ Սբ2Te3կարևոր բազային նյութ է բարձր արդյունավետության փուլային փոփոխության հիշողության կամ օպտիկական տվյալների պահպանման հավելվածների համար:Telluride միացությունները շատ կիրառություն են գտնում որպես էլեկտրոլիտային նյութ, կիսահաղորդչային ներթափանցող նյութ, QLED էկրան, IC դաշտ և այլն և այլ նյութական դաշտեր:

Առաքում

Antimony Telluride Sb₂Te₃և ալյումինի տելուրիդ Ալ₂Te₃, Արսենի տելլուրիդ Աս₂Te₃, Բիսմութ Թելուրիդ Բի₂Te₃, Gallium Telluride Ga₂Te₃Western Minmetals (SC) Corporation-ում 4N 99,99% և 5N 99,999% մաքրությամբ հասանելի են փոշու տեսքով -60 mesh, -80 mesh, հատիկավոր 1-6 մմ, միանվագ 1-20 մմ, կտոր, զանգվածային բյուրեղյա, ձող և ենթաշերտ և այլն կամ ինչպես հարմարեցված: հստակեցում կատարյալ լուծման հասնելու համար:

Հարցում հիմա

Մանրամասներ

Պիտակներ

Տեխնիկական ճշգրտում

Տելուրիդային միացություններ

Տելուրիդային միացություններվերաբերում են մետաղական տարրերին և մետալոիդ միացություններին, որոնց ստոյխիոմետրիկ բաղադրությունը փոխվում է որոշակի տիրույթում՝ միացությունների վրա հիմնված պինդ լուծույթ առաջացնելու համար։Միջմետաղային միացությունը մետաղի և կերամիկայի միջև ունի իր հիանալի հատկություններ և դառնում է նոր կառուցվածքային նյութերի կարևոր ճյուղ:Անտիմոնի տելուրիդային միացություններ Telluride Sb₂Te₃, Ալյումինի տելուրիդ Ալ₂Te₃, Արսենի տելլուրիդ Աս₂Te₃, Բիսմութ Թելուրիդ Բի₂Te₃Կադմիումի տելուրիդ CdTe, կադմիումի ցինկ տելուրիդ CdZnTe, կադմիումի մանգան տելուրիդ CdMnTe կամ CMT, պղնձի տելուրիդ Cu₂Te, Gallium Telluride Ga₂Te₃, Գերմանիումի տելուրիդ GeTe, ինդիումի տելլուրիդ InTe, կապարի տելուրիդ PbTe, մոլիբդենի տելուրիդ MoTe₂, վոլֆրամ Telluride WTe₂և դրա (Li, Na, K, Be, Mg, Ca) միացությունները և Հազվագյուտ Երկրային միացությունները կարող են սինթեզվել փոշու, հատիկի, միանվագ, բար, ենթաշերտի, զանգվածային բյուրեղի և մեկ բյուրեղի տեսքով…

Ոչ	Նյութ	Ստանդարտ ճշգրտում
Ոչ	Նյութ	Բանաձև	Մաքրություն	Չափ և փաթեթավորում
1	Ցինկի տելուրիդ	ZnTe	5N	-60 mesh, -80mesh փոշի, 1-20mm անկանոն գունդ, 1-6mm հատիկ, թիրախ կամ դատարկ: 500գ կամ 1000գ պոլիէթիլենային շշի կամ կոմպոզիտային տոպրակի մեջ, ստվարաթղթե տուփից դրսում: Telluride միացությունների բաղադրությունը հասանելի է ըստ ցանկության: Հատուկ ճշգրտումը և կիրառումը կարող են հարմարեցվել կատարյալ լուծման համար
2	Արսենի տելուրիդ	As₂Te₃	4N 5N
3	Անտիմոնի տելուրիդ	Սբ₂Te₃	4N 5N
4	Ալյումինե տելուրիդ	Al₂Te₃	4N 5N
5	Բիսմութ Թելուրիդ	Bi₂Te₃	4N 5N
6	Պղնձի տելուրիդ	Cu₂Te	4N 5N
7	Կադմիումի տելուրիդ	CdTe	5N 6N 7N
8	Կադմիումի ցինկի տելուրիդ	CdZnTe, CZT	5N 6N 7N
9	Կադմիումի մանգան տելուրիդ	CdMnTe, CMT	5N 6N
10	Գալիումի տելուրիդ	Ga₂Te₃	4N 5N
11	Գերմանիումի տելուրիդ	GeTe	4N 5N
12	Ինդիումի տելուրիդ	InTe	4N 5N
13	Կապար Telluride	PbTe	5N
14	Մոլիբդենի տելուրիդ	MoTe₂	3N5
15	Վոլֆրամի տելուրիդ	WTe₂	3N5

Ալյումինե տելուրիդ

Ալյումինի տելուրիդ Ալ₂Te₃կամTriturium Dialuminium, CAS 12043-29-7, ՄՎտ 436,76, խտությունը 4,5գ/սմ³, առանց հոտի, մոխրագույն-սև վեցանկյուն բյուրեղ է և կայուն սենյակային ջերմաստիճանում, բայց խոնավ օդում քայքայվում է ջրածնի տելուրիդի և ալյումինի հիդրօքսիդի։Ալյումինի տելուրիդ Ալ₂Te₃կարող է առաջանալ Al-ի և Te-ի 1000°C-ում արձագանքելով, երկուական համակարգը Al-Te պարունակում է AlTe, Al միջանկյալ փուլերը։₂Te₃(α-փուլ և β-փուլ) և Ալ₂Te₅, α- Al-ի բյուրեղային կառուցվածքը₂Te₃մոնոկլինիկ է։Ալյումինի տելուրիդ Ալ₂Te₃հիմնականում օգտագործվում է դեղագործական հումքի, կիսահաղորդչային և ինֆրակարմիր նյութի համար։Ալյումինի տելուրիդ Ալ₂Te₃Western Minmetals (SC) Corporation-ում 4N 99.99% և 5N 99.999% մաքրությամբ հասանելի է փոշու, հատիկի, կտորի, կտորի, մեծ բյուրեղի և այլնի տեսքով կամ որպես հարմարեցված ճշգրտում վակուումային փաթեթով շշով կամ կոմպոզիտային տոպրակով:

Արսենի տելուրիդ

Արսենի տելլուրիդ կամ մկնդեղի դիթելուրիդ Աս₂Te₃, I-III խմբի երկուական միացություն, գտնվում է երկու բյուրեղագրական Ալֆա-Ա-ներում₂Te₃և Beta-As₂Te₃, որոնց թվում Beta-As₂Te₃ռոմբոեդրային կառուցվածքով ցուցադրում է հետաքրքիր ջերմաէլեկտրական (TE) հատկություններ՝ համաձուլվածքների պարունակությունը կարգավորելու միջոցով։Պոլիկյուրիստական մկնդեղի տելուրիդ Աս₂Te₃Փոշի մետալուրգիայի միջոցով սինթեզված միացությունը կարող է հետաքրքիր հարթակ հանդիսանալ բարձր արդյունավետությամբ նոր TE նյութեր նախագծելու համար:As2Te3-ի միաբյուրեղները պատրաստվում են հիդրոթերմային եղանակով` տաքացնելով և աստիճանաբար սառեցնելով փոշիացված As և Te ստոյխիոմետրիկ քանակությունների խառնուրդը HCl 25% w/w լուծույթում:Այն հիմնականում օգտագործվում է որպես կիսահաղորդիչներ, տոպոլոգիական մեկուսիչներ, ջերմաէլեկտրական նյութեր։Արսենի տելլուրիդ Աս₂Te₃Western Minmetals (SC) Corporation-ում 99,99% 4N, 99,999% 5N մաքրությամբ կարող է առաքվել փոշու, հատիկի, միանվագ, կտորի, սորուն բյուրեղի և այլնի տեսքով կամ որպես հարմարեցված ճշգրտում:

Բիսմութ Թելուրիդ

Bismuth Telluride Bi₂Te₃, P տիպ կամ N-տիպ, CAS No 1304-82-1, MW 800.76, խտությունը 7.642 գ/սմ³, հալման կետ 585⁰C-ը սինթեզվում է վակուումային հալեցման միջոցով վերահսկվող բյուրեղացման գործընթացով, մասնավորապես՝ Bridgman-Stockbarber մեթոդով և Zone-floating մեթոդով:Որպես ջերմաէլեկտրական կիսահաղորդչային նյութ, Bismuth Telluride կեղծ երկուական համաձուլվածքը ներկայացնում է լավագույն բնութագրերը սենյակային ջերմաստիճանի ջերմաէլեկտրական հովացման կիրառման համար մանրանկարչության բազմակողմանի հովացման սարքերի համար սարքավորումների լայն սպեկտրում և տիեզերական տրանսպորտային միջոցներում էներգիա արտադրելու համար:Բազմաբյուրեղի փոխարեն համապատասխան կողմնորոշված միաբյուրեղների կիրառմամբ, ջերմաէլեկտրական սարքի (Ջերմաէլեկտրական սառեցնող կամ ջերմաէլեկտրական գեներատոր) արդյունավետությունը կարող է մեծապես աճել, ինչը կարող է հիմնավորվել կիսահաղորդչային սառեցման և ջերմաստիճանի տարբերության էլեկտրաէներգիայի արտադրության մեջ, ինչպես նաև օպտոէլեկտրոնային սարքերի և BinT2-ի համար: ֆիլմի նյութ։Bismuth Telluride Bi₂Te₃Western Minmetals (SC) Corporation-ում ներկայացված է փոշու, հատիկի, կտորի, գավազանի, հիմքի, բյուրեղի և այլնի չափերով, որոնք պետք է մատակարարվեն 4N 99,99% և 5N 99,999% մաքրությամբ:

Գալիումի տելուրիդ

Gallium Telluride Ga₂Te₃կոշտ և փխրուն սև բյուրեղ է՝ MW 522.24, CAS 12024-27-0, հալման կետը 790℃ և խտությունը՝ 5.57 գ/սմ։³.Մեկ բյուրեղյա Gallium Telluride GaTe-ը մշակվել է՝ օգտագործելով աճի տարբեր մեթոդներ, ինչպիսիք են Bridgman Growth, Chemical Vapor Transport CVT կամ Flux Zone Growth՝ օպտիմիզացնելու հացահատիկի չափը, արատների կոնցենտրացիան, կառուցվածքային, օպտիկական և էլեկտրոնային հետևողականությունը:Բայց Flux zone տեխնիկան հալոգենից ազատ տեխնիկա է, որն օգտագործվում է իսկապես կիսահաղորդչային կարգի vdW բյուրեղների սինթեզման համար, որն իրեն տարբերում է Chemical Vapor Transport CVT տեխնիկայից՝ ապահովելու դանդաղ բյուրեղացում՝ կատարյալ ատոմային կառուցվածքի և կեղտից ազատ բյուրեղների աճի համար:Gallium Telluride GaTe-ը շերտավոր կիսահաղորդիչ է, որը պատկանում է III-VI մետաղական միացությունների բյուրեղային երկու փոփոխություններով, որոնք կայուն են մոնոկլինիկական և մետաստաբիլ β-GaTe-ի α-GaTe-ի վեցանկյուն կառուցվածքով, լավ p-տիպի տրանսպորտային հատկություններով, ուղիղ ժապավենով: 1,67 eV բացը մեծ մասում, վեցանկյուն փուլը բարձր ջերմաստիճանում վերածվում է մոնոկլինիկ փուլի:Gallium Telluride շերտավոր կիսահաղորդիչն ունի հետաքրքիր հատկություններ, որոնք գրավիչ են ապագա օպտոէլեկտրոնային կիրառությունների համար:Gallium Telluride Ga₂Te₃Western Minmetals (SC) Corporation-ում 99,99% 4N, 99,999% 5N մաքրությամբ կարող է առաքվել փոշու, հատիկի, միանվագ, կտորի, ձողի, սորուն բյուրեղի և այլնի տեսքով կամ որպես հարմարեցված ճշգրտում: